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半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法

Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
国家标准《半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法》 由TC599(全国集成电路标准化技术委员会)归口 ,主管部门为工业和信息化部(电子)。 主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、西安紫光国芯半导体有限公司 、上海高性能集成电路设计中心 、武汉芯动科技有限公司 、成都华微电子科技有限公司 。 主要起草人 孔宪伟 、殷梦迪 、尹萍 、巨鹏锦 、高专 、刘建明 。 GB/T 36474-2018 现行
  基础信息
标准号 GB/T 36474-2018
发布日期 2018-06-07
实施日期 2019-01-01
标准号 GB/T 36474-2018
发布日期 2018-06-07
实施日期 2019-01-01
  起草单位
  中国电子技术标准化研究院
  上海高性能集成电路设计中心
  成都华微电子科技有限公司
  西安紫光国芯半导体有限公司
  武汉芯动科技有限公司
  起草人
  孔宪伟
  殷梦迪
  高专
  刘建明
  尹萍
  巨鹏锦
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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