标准概要

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准委。主要起草单位有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司。主要起草人孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧等。 GB/T 13389-1992 （全部代替） GB/T 13389-2014 现行

基础信息

标准号 GB/T 13389-2014

发布日期 2014-12-31

实施日期 2015-09-01

全部代替标准 GB/T 13389-1992

标准号 GB/T 13389-2014

发布日期 2014-12-31

实施日期 2015-09-01

全部代替标准 GB/T 13389-1992

起草单位

有研半导体材料股份有限公司

中国计量科学研究院

杭州海纳半导体有限公司

西安隆基硅材料股份有限公司

四川新光硅业科技有限责任公司

浙江省硅材料质量检验中心

浙江金瑞泓科技股份有限公司

起草人

孙燕

梁洪

张静

王飞尧

高英

楼春兰

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申明

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