标准概要

硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC608（全国表面化学分析标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。主要起草单位中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院。主要起草人刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美。 GB/T 25188-2010 现行

基础信息

起草单位

标准号

GB/T 25188-2010

发布日期

2010-09-26

实施日期

2011-08-01

标准类别

方法

中国标准分类号

G04

国际标准分类号

71.040.40 71 化工技术 71.040 分析化学 71.040.40 化学分析

归口单位

全国表面化学分析标准化技术委员会

执行单位

全国表面化学分析标准化技术委员会

主管部门

中国科学院

起草人

中国科学院化学研究所

中国计量科学研究院

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申明

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