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  标准概要

硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
国家标准《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。 GB/T 1553-1979 (全部代替) GB/T 5257-1985 (全部代替) GB/T 1553-1997 废止 GB/T 1553-2009 (全部代替) 本标准等效采用ITU国际标准:ASTM F28:1990。 采标中文名称:。
  基础信息
标准号 GB/T 1553-1997
发布日期 1997-06-03
实施日期 1997-12-01
废止日期 2010-06-01
标准号 GB/T 1553-1997
发布日期 1997-06-03
实施日期 1997-12-01
废止日期 2010-06-01
  起草单位
  峨嵋半导体材料厂
  起草人
  GB/T 1553-2023  硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
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  GB/T 5832.3-2011  气体中微量水分的测定 第3部分:光腔衰荡光谱法
  推荐标准
  申明
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