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半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
国家标准《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》 由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口,TC203SC2(全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会)执行 ,主管部门为国家标准委。 主要起草单位 北京天科合达半导体股份有限公司 、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 、安徽长飞先进半导体有限公司 、有色金属技术经济研究院有限责任公司 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 。 主要起草人 彭同华 、佘宗静 、王大军 、张贺 、李素青 、王波 、杨建 、袁松 、刘立娜 。 GB/T 42271-2022 现行
  基础信息
标准号 GB/T 42271-2022
发布日期 2022-12-30
实施日期 2023-04-01
标准号 GB/T 42271-2022
发布日期 2022-12-30
实施日期 2023-04-01
  起草单位
  北京天科合达半导体股份有限公司
  安徽长飞先进半导体有限公司
  中国电子科技集团公司第四十六研究所
  中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
  有色金属技术经济研究院有限责任公司
  起草人
  彭同华
  佘宗静
  李素青
  王波
  刘立娜
  王大军
  张贺
  杨建
  袁松
  推荐标准
  申明
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