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  标准概要

砷化镓单晶位错密度的测量方法

Gallium arsenide single crystal--Determination of dislocation density
国家标准《砷化镓单晶位错密度的测量方法》 由610(中国有色金属工业协会)归口 ,主管部门为中国有色金属工业协会。 主要起草单位 北京有色金属研究总院 。 GB/T 8760-1988 废止 GB/T 8760-2006 (全部代替)
  基础信息
标准号 GB/T 8760-1988
发布日期 1988-02-25
实施日期 1989-02-01
废止日期 2006-12-31
标准号 GB/T 8760-1988
发布日期 1988-02-25
实施日期 1989-02-01
废止日期 2006-12-31
  起草单位
  北京有色金属研究总院
  起草人
  SJ/T 11490-2015  低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
  GB/T 8760-2020  砷化镓单晶位错密度的测试方法
  20240136-T-469  金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
  GB/T 34481-2017  低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
  GB/T 33763-2017  蓝宝石单晶位错密度测量方法
  SJ/T 11489-2015  低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
  GB/T 5252-2020  锗单晶位错密度的测试方法
  GB/T 41765-2022  碳化硅单晶位错密度的测试方法
  GB/T 32282-2015  氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法
  GB/T 11297.6-1989  锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
  推荐标准
  申明
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