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  标准概要

锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法

Germanium monocrystal--Inspection of dislocation etch pit density
国家标准《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》 由610(中国有色金属工业协会)归口 ,主管部门为中国有色金属工业协会。 主要起草单位 有色金属研究总院 。 GB/T 5252-1985 废止 GB/T 5252-2006 (全部代替)
  基础信息
标准号 GB/T 5252-1985
发布日期 1985-07-22
实施日期 1986-07-01
废止日期 2006-12-31
标准号 GB/T 5252-1985
发布日期 1985-07-22
实施日期 1986-07-01
废止日期 2006-12-31
  起草单位
  有色金属研究总院
  起草人
  GB/T 34481-2017  低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
  SJ/T 11490-2015  低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
  SJ/T 11489-2015  低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
  GB/T 11297.6-1989  锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
  GB/T 5252-2020  锗单晶位错密度的测试方法
  GB/T 33763-2017  蓝宝石单晶位错密度测量方法
  SJ/T 10557.3-1994  电解电容器用铝箔平均位错密度测量方法
  20240136-T-469  金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法
  SJ/T 10625-1995  锗单晶中间隙氧含量的红外吸收测量方法
  GB/T 8760-2020  砷化镓单晶位错密度的测试方法
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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