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  标准概要

硅多晶气氛区熔磷检验方法

Polycrystalline silicon--Examination method--Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere
国家标准《硅多晶气氛区熔磷检验方法》 由610(中国有色金属工业协会)归口 ,主管部门为中国有色金属工业协会。 主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。 GB/T 4059-1983 废止 GB/T 4059-2007 (全部代替)
  基础信息
标准号 GB/T 4059-1983
发布日期 1983-12-20
实施日期 1984-12-01
废止日期 2008-02-01
标准号 GB/T 4059-1983
发布日期 1983-12-20
实施日期 1984-12-01
废止日期 2008-02-01
  起草单位
  峨嵋半导体材料厂
  起草人
  GB/T 4059-2018  硅多晶气氛区熔基磷检验方法
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  GB/T 29057-2023  用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
  GB/T 4061-2009  硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
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  YB/T 178.8-2012  硅铝合金和硅钡铝合金 磷含量的测定 铋磷钼蓝分光光度法
  SJ/T 11853-2022  正压悬浮区熔单晶硅炉
  HG 2274-1992  钙镁磷肥用硅镁质半自熔性磷矿
  推荐标准
  申明
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  关键词标签
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